The transition among multiple charging states of a semiconductor’s localized intrinsic/impurity defects is considered a......

发展了一种研究ａ－Ｓｉ：ＨＴＦＴ静态特性的新方法。从ａ－Ｓｉ材料的带隙态密度适配参数分布函数出发，采用Ｓｈｏｃｋｌｅｙ－Ｒｅａｄ－Ｈａｌｌ统计描述，发展了一种局域态电荷密度统一模型，该模型......

设计了nBn结构的InAs/GaSb II类超晶格红外探测器,从理论和实验两方面对nBn器件的暗电流特性进行了研究,研究结果表明：理论计算的暗......